报告题目：碳化硅单晶制备及其在同位素电池中的潜在应用
报告人：王蓉 研究员
报告时间：2025年5月15日（星期四），上午10：30
报告地点：独墅湖校区医学楼402号楼四楼学术报告厅
欢迎广大师生踊跃参加！
报告人简介：王蓉，浙江大学杭州国际科创中心百人研究员，长期围绕碳化硅的缺陷与杂质开展研究工作，以第一/通讯作者发表SCI论文50余篇，获28项授权的中国发明专利和2项授权的美国发明专利；转让/许可了6项专利，2项关键技术进入中试应用阶段。
报告摘要：近年来，半导体碳化硅材料在电力电子和射频微波等领域得到了广泛应用。在本报告中，我们将汇报浙江大学杭州国际科创中心在碳化硅单晶生长、衬底加工和薄膜外延等方面的技术进展，重点聚焦碳化硅单晶制备过程中的缺陷与杂质调控，并探讨碳化硅单晶在同位素电池中的潜在应用。